MRFG35003ANT1
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | MRFG35003ANT1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
Teil der Beschreibung.: | FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Prüfung | 12 V |
Spannung - Nennwert | 15 V |
Technologie | pHEMT FET |
Supplier Device-Gehäuse | PLD-1.5 |
Serie | - |
Leistung | 3W |
Verpackung / Gehäuse | PLD-1.5 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 10.8dB |
Frequenz | 3.55GHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
Strom - Test | 55 mA |
Grundproduktnummer | MRFG35 |
MRFG35003ANT1 Einzelheiten PDF [English] | MRFG35003ANT1 PDF - EN.pdf |
RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
FET RF 15V 3.55GHZ
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
FET RF 15V 3.55GHZ
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
FET RF 8V 3.55GHZ
MRFF002G3K00-01R Original
2024/05/21
2024/04/4
2024/01/30
2024/10/16
MRFG35003ANT1NXP USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|